ПЛАН (от лат. planum - плоскость)
1) чертеж, изображающий в условных знаках на плоскости (в масштабе 1:10000 и крупнее) часть земной поверхности (топографический план).
2) Горизонтальный разрез или вид сверху какого-либо сооружения или предмета (см., напр., План в архитектуре).
3) То же, что горизонтальная проекция (см. Начертательная геометрия).
4) Заранее намеченный порядок, последовательность осуществления какой-либо программы, выполнения работы, проведения мероприятий.
5) Замысел, проект, основные черты какой-либо работы, изложения (план доклада, пьесы и т. п.).
6) Способ рассмотрения, построения, подхода к чему-либо (в теоретическом плане, в двух планах и т. п.).
7) Размещение объектов на изображении - передний, средний, задний план и их размеров - крупный, мелкий план (напр., план кинематографический). 
ПЛАН в архитектуре графическое изображение горизонтальной проекции здания или комплекса зданий, населенного пункта в целом или его отдельных частей, выполненное в определенном масштабе; характеристика расположения здания или ансамбля на уровне земли.
ПЛАН в экономике программа деятельности хозяйствующих субъектов, отдельных звеньев системы управления. Различают внутрипроизводственный (внутрифирменный) план, народнохозяйственный (общегосударственный) план, региональные и отраслевые планы; текущие (до 1 года) и перспективные планы. См. также Планирование.
ПЛАНАРИИ отряд ресничных червей. Длина до 60 (обычно до 35) см. Распространены широко. Свободноживущие. В пресных водах (в оз. Байкал св. 30 эндемичных видов), реже в морях и в почве (в тропиках). Лабораторные животные (способны к образованию простейших условных рефлексов).
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ (от англ. planar - плоский) высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление способом фотолитографии или электронолитографии определенных участков этой пленки; введение в кристалл через незащищенные пленкой участки донорных или акцепторных примесей (легирование). В результате этих операций в кристалле образуются области с электронно-дырочными переходами.
ПЛАНДЕР (Plander) Иван (р. 1928) словацкий ученый, действительный член Словацкой АН, иностранный член РАН (1991; иностранный член АН СССР с 1988). Основные труды по созданию многопроцессорных вычислительных систем и аппаратных средств поддержки для интеллектуальных систем.
